Rynek ETFów jest zalany produktami pod sztuczną inteligencję, ale czy naprawdę każdy z nich wnosi coś nowego? DRAM ETF już zebrał 5 miliardów USD i notuje 70-procentowy wzrost od debiutu. Skąd taki sukces?

Nowy ETF DRAM i boom AI – czy pamięć półprzewodnikowa napędza wzrost?

Rynek ETFów znów przyspiesza, a inwestorzy zaczynają mieć problem nie z dostępnością produktów, tylko z selekcją tych, które faktycznie wnoszą wartość do portfela. W tym kontekście coraz więcej uczestników rynku zaczyna stosować podejście selekcyjne – coś na kształt “depth chart”, gdzie część ETFów stanowi trzon portfela, część jest w rezerwie, a reszta trafia na radar jako potencjalne przyszłe okazje.

To podejście ma sens szczególnie teraz, gdy rynek jest zalany produktami pod modne tematy, jak sztuczna inteligencja. Większość nowych ETFów próbuje “podpiąć się” pod AI, ale tylko nieliczne faktycznie oferują ekspozyję na element łańcucha wartości, który może być niedoszacowany. I właśnie tutaj pojawia się temat DRAM – ETF, który nie próbuje kopiować szerokiego rynku technologicznego, tylko celuje w bardzo konkretny fragment infrastruktury AI.

ETF DRAM – jak działa Roundhill Memory ETF i dlaczego pamięć staje się kluczowa w AI?

Roundhill Memory ETF (DRAM) to przykład produktu, który próbuje wykorzystać zmianę w strukturze rynku technologicznego. Dotychczas dominująca była narracja oparta na mocy obliczeniowej – GPU były traktowane jako główny beneficjent boomu AI. Pamięć operacyjna i rozwiązania typu high-bandwidth memory były postrzegane raczej jako komponent cykliczny, zależny od podaży i popytu.

Ten paradygmat zaczyna się jednak zmieniać. Wraz ze wzrostem złożoności modeli AI pojawia się ograniczenie nie po stronie mocy obliczeniowej, ale transferu danych. Innymi słowy – procesory mogą liczyć szybciej, niż system jest w stanie dostarczyć dane. To powoduje, że pamięć przestaje być dodatkiem, a staje się wąskim gardłem całego systemu. DRAM jest pierwszym ETFem typu pure-play, który próbuje to wykorzystać, koncentrując się na firmach kontrolujących ten segment.

Dave Mazza, CEO Roundhill Investments, wskazuje na to jako jedno z głównych uzasadnień dla funduszu.

To dwie z największych firm pamięciowych na świecie i są praktycznie niedostępne dla amerykańskich inwestorów – wskazał.

Zamiast szerokiej ekspozycji na cały sektor półprzewodników, fundusz skupia się na wybranych globalnych graczach odpowiedzialnych za pamięć. To świadoma koncentracja ryzyka, ale też potencjalnego zwrotu. Jeśli ten segment faktycznie stanie się kluczowym beneficjentem rozwoju AI, taki ETF może zachowywać się inaczej niż klasyczne fundusze technologiczne.

Dlaczego DRAM ETF bije rekordy napływów od pierwszego dnia notowań?

Fundusz zadebiutował 2 kwietnia 2026 roku i od razu zaczął przyciągać kapitał w niespotykanym tempie. Pierwsze 10 dni notowań zakończyło się z napływami przekraczającymi miliard dolarów – wynik gorszy tylko od słynnych debiutów spotowych ETFów na Bitcoina sprzed trzech lat oraz kilku historycznych premier.

Od tamtego momentu fundusz notował napływy każdego dnia bez wyjątku – 23 sesje z rzędu zakończone wpłatami netto. W czwartek 8 maja 2026 roku DRAM zebrał 1,1 miliarda dolarów w ciągu jednej sesji. Łączne aktywa przekroczyły 5 miliardów dolarów. Równolegle kurs wzrósł o 70% od debiutu – napędzany rekordowymi wynikami spółek z portfela.

Co kryje się w portfelu funduszu i dlaczego to właśnie te spółki?

DRAM inwestuje w sektor pamięci komputerowych – segment rynku chipów odpowiedzialny za produkcję kości RAM, pamięci NAND i HBM (High Bandwidth Memory), niezbędnej do zasilania nowoczesnych modeli sztucznej inteligencji.

Wśród kluczowych pozycji w portfelu znalazły się Micron i Sandisk – obie spółki notują historyczne rekordy. Fundusz zawiera jednak coś, czego nie da się łatwo zreplikować samodzielnie, czyli ekspozyję na koreańskich gigantów chipowych – SK Hynix i Samsung Electronics.

Problem jest realny, ponieważ zakup koreańskiego ETFu oznacza ekspozyję na mnóstwo spółek, których inwestor nie chce. Kupno szerokiego ETFu na półprzewodniki daje zbyt mały udział Microna i analogicznych podmiotów. DRAM rozwiązuje ten problem, oferując czystą, skoncentrowaną ekspozyję na jeden segment.

Czy ETF DRAM ma sens? Porównanie z QQQ i ryzyko wysokiej korelacji ETFów technologicznych

Kluczowe pytanie brzmi: czy DRAM faktycznie wnosi coś nowego, czy tylko replikuje zachowanie szerokiego rynku technologicznego z innym poziomem zmienności. Jeśli ten ETF porusza się w wysokiej korelacji z takimi funduszami jak Invesco QQQ Trust Series 1, to jego przewaga sprowadza się wyłącznie do wyboru poziomu beta, a nie do realnej dywersyfikacji.

To istotne, bo rynek oferuje już produkty lewarowane na QQQ, które pozwalają zarządzać ekspozyją w prostszy sposób. W takim scenariuszu DRAM przestaje być unikalny, a staje się tylko kolejną wariacją na ten sam temat. Z drugiej strony, jeśli segment pamięci zacznie zachowywać się niezależnie – napędzany własnymi fundamentami, a nie tylko sentymentem do AI – wtedy pojawia się realna wartość.

Na razie sygnały są mieszane, ale zainteresowanie rynkowe jest widoczne – ETF osiągnął blisko 1 mld USD aktywów w bardzo krótkim czasie. To pokazuje, że inwestorzy zaczynają szukać bardziej wyspecjalizowanych ekspozycji w ramach AI. DRAM trafia dokładnie w ten punkt – pytanie tylko, czy rynek faktycznie wynagrodzi tę precyzję, czy wszystko dalej będzie poruszać się jednym, szerokim ruchem technologicznego beta.

Z artykułu warto zapamiętać:

  • ETF DRAM celuje w segment pamięci, który przestaje być dodatkiem i staje się krytycznym elementem infrastruktury AI.
  • Wąskie gardło rynku przesuwa się z mocy obliczeniowej na transfer danych, co zmienia układ sił w sektorze półprzewodników.
  • Skoncentrowana ekspozycja na wybrane spółki może dać przewagę, ale zwiększa zależność od jednego trendu technologicznego.
  • Kluczowym ryzykiem jest wysoka korelacja z szerokim rynkiem i ETFami takimi jak Invesco QQQ Trust Series 1.